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为什么碳化硅MOSFET会取IGBT?碳化硅MOSFET和IGBT都是率器件，但它们具有不同的特。碳化硅MOSFET具有高的开关速度、低的导通电阻、高的耐压和高的结温，因此在高频、高压和高率应用中具有势。IGBT具有高的可靠和高的短路能力，因此在些特殊应用中仍具有势。SiC碳化硅MOSFET技术能上的势，使变换器的设计可以变得有率，个逆变器的定率得以进步提高，从而低整系统成本 光伏逆变器，电动汽车，储能变流器，充电桩电源模块等电力电子系统向高电压发展已经成为行业的必然趋势，这对半导器件也提出了高耐压要求。 相比于硅基高压器件，碳化硅开关器件拥有高的频率和小的导通电阻以及开关耗，在大率或超大率应用域有着的应用势，也必将伴随着应用的发展向着高的电压等蓄力发展。 倾佳电子（Changer Tech）致力于国产碳化硅（SiC）MOSFET率器件在电力电子--场的推广！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which --mitted to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market! 国产SiC碳化硅MOSFET率器件可靠及致如何确保？ 电力电子系统研发制造商般需要碳化硅MOSFET率器件供应商提供可靠测试报... [详细介绍] 最新供应招商代理最新求购热卖商品 |
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